128ギガバイトのストレージを搭載したiPhone 6およびiPhone 6 Plusの一部でランダムブートループや予期せぬクラッシュが発生するという未確認の報告を受けて、Appleは異なるタイプのNANDフラッシュ技術の使用に切り替えたと報じられている。
新しいiPhoneはトリプルレベルセル（TLC）NANDフラッシュ技術を採用しているが、BusinessKoreaは金曜日、アップルが今後iPhone 6とiPhone 6 Plusでマルチレベルセル（MLC）NANDフラッシュに切り替えると報じた。
業界筋が同誌に語ったところによると、iPhone 6のストレージ問題は、iOSデバイスのフラッシュストレージパフォーマンスを最適化するためにAppleが2011年に買収したイスラエルのフラッシュメモリ企業Anobit製のTLC NANDフラッシュコントローラの問題に起因しているという。
TLC NAND フラッシュは手頃な価格で、SLC の 3 倍、MLC テクノロジの 1.5 倍のデータ量を保存できますが、データの読み取りと書き込みの両方において SLC や MLC よりも遅くなります。
以前の iPhone と一部の iPad では MLC NAND フラッシュが使用されていました。
Apple のディスカッション フォーラムで増え続けるスレッドでこの問題が強調されているが、この問題は 128GB デバイスに大きなアプリケーション ライブラリを持つ、数え切れないほど多くの iPhone 6 および iPhone 6 Plus ユーザーに限定されているようだ。
ユーザーの報告によると、影響を受けるデバイスでは頻繁にクラッシュが発生し、再起動後にブート ループから抜け出せないデバイスもあるとのことです。
この問題は 128GB モデルで利用可能なストレージの増加に関連するハードウェアの問題に関連しているという考えは、TLC NAND フラッシュを使用する Samsung SSD 840 および 840 EVO の読み取りパフォーマンスが低いという報告によってさらに裏付けられています。
影響を受けたユーザーは、デバイスをApple Storeに持ち込むよう勧告されており、iPhone 6 Plusの交換に成功したという報告はごくわずかです。BusinessKoreaは、Appleが近日中にリリースするiOS 8.1.1アップデートで、一部のiPhone 6 Plusユーザーに影響を与えているブートループの問題が解決されると主張しています。
[BusinessKorea、MacRumors経由]
